买卖IC网 >> 产品目录 >> BLF6G10LS-135R /T3 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLF6G10LS-135R /T3

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 32 A
闸/源击穿电压 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT502B
封装 Reel - 13 in
相关资料
属性
链接
代理商 BLF6G10LS-135R /T3
BLF6G10LS-135R,112
BLF6G10LS-135R,118
BLF6G10LS-135R/T3
BLF6G10LS-135RN
BLF6G10LS-135RN,11
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电话
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  • BLF6G10LS-135R /T3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价